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    • 专利摘要:
    Ein Verfahren und eine Anordnung gemäß der vorliegenden Erfindung können eine Wolframnitridschicht mit einem Verhältnis Stickstoff zu Wolfram, das unter etwa 0,7 at liegt, und eine auf der Wolframnitridschicht ausgebildete Wolframschicht verwenden, um ein leitendes Material zu erhalten.
    公开号:DE102004004790A1
    申请号:DE200410004790
    申请日:2004-01-30
    公开日:2004-09-09
    发明作者:Roy C. Iggulden；Werner Dr. Robl；Padraic Shafer；Kwong Hon Wong
    申请人:Infineon Technologies AG；International Business Machines Corp；
    IPC主号:H01L21-28
    专利说明:
    [0001] Die vorliegende Erfindung betrifftein Verfahren und eine Anordnung zum Verbessern des elektrischenWiderstands von Leiterbahnen in integrierten Schaltungen.
    [0002] Leiterbahnen werden dazu verwendet,verschiedene Knoten innerhalb einer integrierten Schaltung miteinanderzu verbinden. Der Widerstand dieser Leiterbahnen kann die elektrischenEigenschaften der integrierten Schaltung manchmal nachteilig beeinflussen.Beispielsweise kann der elektrische Widerstand bestimmter Leiterbahnenin DRAM-Feldern (dynamische Speicher mit wahlfreiem Zugriff) sichschwerwiegend auf die Geschwindigkeit auswirken, mit der Daten inden Speicher geschrieben und aus diesem gelesen werden können. Insbesondere ist 1 ein Diagramm eines herkömmlichenFeldes von Speicherzellen 22, die in einem herkömmlichen DRAM-Feldenthalten sind. Jede Speicherzelle 22 enthält eineneinzigen Feldtransistor 24 und einen einzigen Kondensator 26.Auf eine gegebene Speicherzelle 22 des Speicherfeldes 12 kannzugegriffen werden, indem eine bestimmte Bitleitung und eine bestimmteWortleitung aktiviert werden. Da die Speicherzellen 22 desSpeicherfeldes 12 in einem Gitter angeordnet sind, wirdfür einegegebene Kombination der Aktivierung einer Wortleitung und einerBitleitung nur auf eine Zelle 22 zugegriffen.
    [0003] Um beispielsweise ein Datenbit ineine Speicherzelle (0, 1) zu schreiben, wird die Wortleitung 0 aktiviert,indem an diese Leitung eine geeignete Spannung angelegt wird, z.B.ein logisches H (wie etwa 3,3 V, 5 V, 15 V usw.) oder ein logischesL (wie etwa 0 V). Eine geeignete an die Wortleitung 0 angelegteSpannung schaltet jeden der Feldtransistoren 24, die mitdieser Leitung verbunden sind, einschließlich des Feldtransistors 24 vonZelle (0, 1), ein. Dann kann eine Spannung kann dann an die Bitleitung1 angelegt werden, die den Kondensator 26 von Zelle (0,1) auf einen gewünschtenPegel, z.B. je nach Datenbit auf ein logisches H oder ein logischesL, lädt. DieSpannung kann übereinen geeignet angeschlossenen Datenbus an die Bitleitung 1 (und/oderirgendeine der anderen Bitleitungen) angelegt werden. Wenn keineSpannung an die Wortleitung 0 angelegt ist, ist der Feldtransistor 24 vonZelle (0, 1) ausgeschaltet und die Ladung im Kondensator 26 derZelle (0, 1) gespeichert.
    [0004] Das Lesen eines Datenbits von einerbestimmten Speicherzelle 22, wie etwa Zelle (0, 1) verläuft im wesentlichen ähnlich wiedas Schreiben eines Datenbits, außer daß die Spannung durch den Kondensator 26 derSpeicherzelle 22 statt durch den Datenbus an die Bitleitung1 angelegt wird. In der Regel wird nicht eine einzelne Speicherzelle 22 beschriebenoder ausgelesen; vielmehr wird ein ganzes Wort (eine Reihe von Datenbits)in das Speicherfeld 12 geschrieben oder aus dem Speicherfeld 12 gelesen,indem geeignete Spannung an eine bestimmte Wortleitung angelegtwird und an jeder der Bitleitungen, z.B. Bitleitungen 0, 1, 2 usw.,entweder eine Spannung angelegt oder gemessen wird.
    [0005] Unabhängig davon, ob Daten in dieKondensatoren 26 des Feldes 12 geschrieben oderaus diesen gelesen werden, müssendie den Kondensatoren 26 zugeordneten Transistoren 24 vorgespanntsein. Wie oben dargestellt, hat dies zur Folge, daß an die Gateelektrodender Transistoren 24 eine auf die Sourceelektroden bezogeneSpannung angelegt wird. Die Geschwindigkeit, mit der die Transistoren 24 eingeschaltet(oder ausgeschaltet) werden, wird durch den elektrischen Widerstandder die Wortleitungen bildenden Leiterbahnen beeinflußt, diean die Gateelektroden der Transistoren 24 gekoppelt sind. DerGrund dafürist, dass jeder Gateelektrode der Transistoren 24 eineinhärenteReihenkapazitätzugeordnet ist und diese Kapazitätmit dem der entsprechenden Wortleitung zugeordneten äquivalenten Reihenwiderstandeine Zeitkonstante bildet. Die Ge schwindigkeit, mit der die Transistoren 24 einschaltenund ausschalten, wird ebenfalls durch den elektrischen Widerstandder die Bitleitungen bildenden Leiterbahnen beeinflußt, da derGesamtwiderstand, der die der Gatekapazität zugeordnete Zeitkonstantebeeinflußt,eine Funktion der jeweiligen Widerstände der Wortleitung und derBitleitung ist.
    [0006] Bemühungen, die den Kondensatoren 24 zugeordneteZeitkonstante zu reduzieren, waren darauf ausgerichtet, die Gatekapazität und/oderden Gesamtwiderstand in Reihe mit einer derartigen Gatekapazität zu reduzieren.In Verbindung mit der Reduzierung des Gesamtwiderstands waren einigeBemühungendarauf ausgerichet, ein Material mit einem geringen Widerstand zumAusbilden der Leiterbahnen, die den Wortleitungen, Bitleitungenund Gatematerialien (d.h. der Metallisierung des Gatestapels) einzusetzen.Je nach der verwendeten Art von Materialien zum Ausbilden der Metallisierungdes Gatestapels ist manchmal ein Ausheizen erforderlich, um relativgeringe elektrische Widerständezu erhalten. Der Ausheizprozess erfordert leider, die integrierte Schaltung über längere Zeiträume hinwegerhöhten Temperaturenauszusetzen, was eine entsprechende Menge des thermischen Budgetsaufbraucht, das für denProduktionsprozeß für die integrierteSchaltung gestattet ist.
    [0007] Dementsprechend existiert in derTechnik ein Bedarf an Verfahren und Anordnungen zum Reduzieren deselektrischen Widerstands, der mit Leiterbahnen in integrierten Schaltungen,wie etwa DRAM-Schaltungen verbunden ist, bevorzugt Verfahren undAnordnungen, die sich auf das thermische Gesamtbudget des integriertenSchaltungsprozesses nicht signifikant auswirken.
    [0008] Gemäß einem oder mehreren Aspektender vorliegenden Erfindung beinhaltet ein Verfahren das Ausbildeneiner Wolframschicht auf einer Wolframnitridschicht, um in einerintegrierten Schaltung eine Leiterbahn herzustellen, wobei das Verhältnis Stickstoffzu Wolfram in der Wolframnitridschicht unter etwa 0,7 at liegt.Das Verfahren kann weiterhin das Ausbilden einer Schicht aus Siliziumnitrid,Wolframnitrid, Siliziumoxid oder einer beliebigen anderen isolierendenSchicht auf der Wolframschicht beinhalten, um die Wolframschichtvor einer Schädigungzu schützenoder zur Verwendung als Hartmaske zur Strukturierung des Gatestapels.
    [0009] Beispielsweise kann die Wolframnitridschichtauf einer Polysiliziumschicht ausgebildet werden, um einen Gatestapeleines Feldeffekt-Transistors auszubilden, wobei der Gatestapel diePolysiliziumschicht, die Wolframnitridschicht, die Wolframschichtund die Siliziumnitridschicht (oder Wolframnitridschicht) enthält.
    [0010] Die Wolframnitridschicht kann unterVerwendung einer physikalischen Technik für das Abscheiden aus der Dampfphase,wie etwa Sputtern, auf der Polysiliziumschicht ausgebildet werden.Insbesondere kann das Verfahren das Ausbilden einer Mischung ausArgongas und Stickstoffgas und das Beschießen einer Probe aus Wolframmit der Mischung aus Argongas und Stickstoffgas bei Vorliegen desPolysiliziums beinhalten. Das Verhältnis Stickstoff zu Wolfram inder Wolframnitridschicht kann erzielt werden, indem das Verhältnis desArgongases und des Stickstoffgases gesteuert wird. Es können andereTechniken zur Abscheidung verwendet werden, wie etwa chemischesAbscheiden aus der Dampfphase, Atomschichtabscheidung usw.
    [0011] Wenn das obige Verfahren auf dieAusbildung eines DRAM-Feldes angewendet wird, kann man einen vorteilhaftgeringen Widerstand des Gatestapels erhalten, indem man sicherstellt,daß das Verhältnis Stickstoffzu Wolfram in der Wolframnitridschicht unter etwa 0,7 at liegt.
    [0012] Weitere Aspekte, Merkmale, Vorteileusw. ergeben sich dem Fachmann bei Betrachtung der vorliegendenBeschreibung in Verbindung mit den beiliegenden Zeichnungen.
    [0013] Zur Veranschaulichung der Erfindungwerden in den Zeichnungen Formen gezeigt, die gegenwärtig bevorzugtwerden, wobei jedoch zu verstehen ist, daß die Erfindung nicht auf diepräzisenAnordnungen und/oder Instrumentarien beschränkt ist, die gezeigt sind.
    [0014] 1 istein Diagramm, das eine herkömmlicheSchaltungstopologie darstellt, die beim Ausbilden von Speicherfeldernnach dem Stand der Technik eingesetzt wird;
    [0015] 2 isteine Seitenansicht einer Speicherzelle gemäß der vorliegenden Erfindung;
    [0016] 3 isteine Tabelle von Daten zur Darstellung bestimmter Daten, die durchTesten von entsprechend der Verfahren und Anordnungen der vorliegendenErfindung ausgebildeten Leiterbahnen erhalten werden;
    [0017] 4 isteine graphische Darstellung, die bestimmte der in der 3 enthaltenen Informationenzeigt.
    [0018] Ausführliche Beschreibung der bevorzugten AusführungsformenUnter Bezugnahme auf die Zeichnungen, in denen gleiche Zahlen gleicheElemente bezeichnen, ist nunmehr in 2 eineSeitenansicht einer Speicherzelle 100 gemäß einemoder mehreren Aspekten der vorliegenden Erfindung gezeigt. Die Speicherzelle 100 enthält im allgemeinen einSubstrat 102, einen im Substrat 102 ausgebildetenGrabenkondensator 104 und einen über dem Grabenkondensator 104 ausgebildetenFeldtransistor 106. Das Material und die Prozesse, diehier beschrieben sind, könnenmit verschiedenen Arten eines Substrates 102, einschließlich Silizium(Si), Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) und Siliziumcarbid(SiC), verwendet werden.
    [0019] Der Feldtransistor 106 enthält eineDrainelektrode 110, die beispielsweise mit einer vergrabenenKontaktbrücke(buried strap) ausgebildet sein kann. Der Feldtransistor 106 enthält außerdem eine Sourceelektrode 112 undeine Gateelektrode 114. Die Gateelektrode 114 umfaßt bevorzugteinen Gatestapel, der eine Reihe von Schichten 114A bis 114D enthält. DieseSchichten enthalten eine Isolationsschicht 114A, eine Polysiliziumschicht 114B undMetallisierungsschichten 114C und 114D. Eine fakultativezusätzlicheSchicht 114E ist ebenfalls in Betracht gezogen.
    [0020] Die Metallisierungsschichten 114C und 114D werdenbevorzugt aus Wolframnitrid (WN) beziehungsweise im wesentlichenreinem Wolfram (W) ausgebildet. Die Wolframnitridschicht 114C stelltbevorzugt eine Barriere zwischen der Wolframschicht 114D undder darunterliegenden Polysiliziumschicht 114B bereit.Diese Barriere verhindert eine etwaige nachteilige Reaktion zwischender Wolframschicht 114D und der Polysiliziumschicht 114B (wieetwa durch Ausbildung eines Wolframsilizids, das einen hohen Widerstanderzeugt). Es wird angemerkt, daß dasVerwenden eines Gatematerials mit einem relativ geringen Widerstand,wie etwa Wolfram, die vorteilhafte Eigenschaft aufweist, den elektrischenWiderstand und die Gesamtkapazitätdes Gatestapels zu senken. Währendder elektrische Widerstand durch das eigentliche Wolframmaterialreduziert wird, kann die Kapazitätauch dadurch reduziert werden, daß der Vorteil des geringenelektrische Widerstand ausgenutzt und die Höhe des Gatestapels reduziertwird.
    [0021] Gemäß einem oder mehreren weiterenAspekten der vorliegenden Erfindung beträgt das Verhältnis Stickstoff zu Wolframinnerhalb der Wolframnitridschicht 114C bevorzugt unteretwa 0,7 at. Es wird angemerkt, daß das Verhältnis Stickstoff zu Wolframvon 0,7 at gleich 0,43 at-% ist. Es hat sich herausgestellt, daß rechtunerwartete und vorteilhafte Ergebnisse erzielt werden, wenn diesesVerhältnis verwendetwird. Beispielsweise nimmt der elektrische Widerstand des Gatestapelsvor dem Ausheizen einen relativ geringen Wert an. Außerdem kann dasNiveau des elektrischen Widerstands ausreichend niedrig liegen,so dass sich das Ausheizen insgesamt erübrigt, wodurch die Notwendigkeitentfällt, einenTeil des thermischen Gesamtbudgets auf den Ausheizprozess zu verwenden.
    [0022] Eine fakultative Schicht 114E ausSiliziumnitrid, Wolframnitrid, Siliziumoxid oder eine beliebige andereIsolationsschicht kann auf der Wolframschicht 114D angeordnetsein, um die Wolframschicht 114D gegen eine Beschädigung zuschützen oderzur Verwendung als Hartmaske fürdas Strukturieren des Gatestapels.
    [0023] Die vorteilhaften Effekte der vorliegendenErfindung lassen sich besser unter Bezugnahme auf die 3 und 4 würdigen,die beispielhafte Versuchsdaten veranschaulichen, die durch Testeneines leitenden Materials erhalten wurden, das gemäß den Verfahrenund Anordnungen der vorliegenden Erfindung ausgebildet wurde. Wenngleichdie vorliegende Erfindung durch keine Theorie der Verarbeitung beschränkt wird,wurde der Sputterprozess eingesetzt, um das leitende Material für die Versuche herzustellen.Wenngleich das Sputtern in die breitere Klasse der physikalischenVerfahren zum Abscheiden aus der Dampfphase fällt, wird davon ausgegangen,daß allebekannten Verfahren (z.B. chemisches Abscheiden aus der Dampfphase,Atomschichtabscheidung usw.) oder im folgenden entwickelte Prozessezum Herstellen des leitenden Materials innerhalb des Umfangs dervorliegenden Erfindung liegen.
    [0024] Als Beispiel und nicht als Einschränkung wurdezum Herstellen leitender Materialien mit verschiedenen VerhältnissenStickstoff zu Wolfram ein standardmäßiges Produktionswerkzeug für das Sputternmit dem Namen AMAT Endura verwendet. Insbesondere wurde eine Mischungaus Argongas und Stickstoffgas hergestellt, und eine Probe aus im wesentlichenreinen Wolfram wurde in Gegenwart von Polysilizium mit der Mischungbeschossen, um auf dem Polysilizium eine Schicht aus Wolframnitrid auszubilden.Die Strömeaus Argon- und Stickstoffgas wurden unter Verwendung des sccm-Prozesses (standardcentimeter cube per minute) eingesetzt. Verschiedene Proben einesleitenden Materials mit unterschiedlicher Wolframnitrid-Stöchiometriewurden erhalten, indem die relativen Ströme des Argongases und des Stickstoffgasesvariiert wurden.
    [0025] 3 isteine Tabelle, die eine Aufstellung bestimmter Daten enthält, einschließlich einesVerhältnissesvon Argongas und Stickstoffgas (Ar/N2 oderN:Ar), eines VerhältnissesStickstoff zu Wolfram (N:W), eines Widerstandes vor dem Ausheizen(Rs) und eines Widerstandes nach dem Ausheizen (Rs). Die variierendenStrömevon Argongas und Stickstoffgas enthalten 20/110 Ar/N2 (5,5N:Ar), 20/90 (4,5), 20/70 (3,5), 20/55 (2,75), 40/55 (1,38) und 80/55(0,69). Mit diesen Gasströmenerhielt man leitende Materialien mit jeweiligen Wolframnitridschichtenmit verschiedenen Verhältnisseneinschließlich 1,31(N:W at), 1,14, 0,97, 0,64, 0,55 beziehungsweise 0,49.
    [0026] FürVersuchszwecke betrug die Dicke der Wolframnitridschicht etwa 4nm, und die Dicke der im wesentlichen reinen Wolframschicht betrugetwa 35 nm. Die Flächenwiderstände derleitenden Materialien wurden mit einer 4-Punkt-Sonde gemessen, um denWiderstand Rs vor dem Ausheizen zu bestimmen. Die Proben aus leitendemMaterial wurden dann 10 Sekunden lang bei 1050°C in einer Argonumgebung ausgeheizt.Der Flächenwiderstandder leitenden Materialien wurde gemessen, um den Widerstand nachdem Ausheizen zu erhalten.
    [0027] Die Zusammensetzung der Wolframnitridschichtenwurden überden wohlbekannten Prozess der Rutherford-Rückstreuung gemes sen, wobeiFilme aus reinem Wolframnitrid mit einer Dicke von 40 nm verwendetwurden.
    [0028] Währendin 3 die Widerstände vordem Ausheizen und nach dem Ausheizen tabellarisch dargestellt sind,veranschaulicht 4 dieseDaten graphisch. In 4 stelltdie Ordinate den FlächenwiderstandRs vor und nach dem Ausheizen dar, während die Abszisse das Verhältnis Stickstoffzu Wolfram in der Wolframnitridschicht darstellt. Wie man aus 4 erkennen kann, sind dieDifferenzen zwischen dem Widerstand vor dem Ausheizen und nach dem Ausheizenbei VerhältnissenStickstoff zu Wolfram überetwa 0,7 at recht signifikant und erreichen 11,7 at im Gegensatzzu 4,7 at bei einem Verhältnisvon 1,3 at. Im Gegensatz dazu sind die Differenzen zwischen denFlächenwiderständen vorund nach dem Ausheizen bei Verhältnissenunter etwa 0,7 at recht insignifikant, beispielsweise 4,6 at gegenüber 3,2at bei einem Verhältnisvon 0,49 at. Außerdemgleicht der Flächenwiderstandvon 5,0 vor dem Ausheizen, der durch eine Probe mit einem Verhältnis von0,64 Stickstoff zu Wolfram erhalten wurde, etwa dem Flächenwiderstandvon 4,85 nach dem Ausheizen für einleitendes Material mit einem Verhältnis von 0,97 Stickstoff zuWolfram.
    [0029] Vorteilhafterweise ermöglicht dieEntdeckung, dass wünschenswerteEigenschaften fürden Widerstand eines leitfähigenMaterials, das eine Wolframnitridschicht verwendet, erhalten werden können, indemsichergestellt wird, daß dasVerhältnis Stickstoffzu Wolfram unter 0,7 at liegt, eine bessere Wirkung und möglicherweiseeine Eliminierung des Ausheizschritts. Wenn die vorliegende Erfindungim Kontext eines DRAM-Feldes verwendet wird, kann aufgrund einesgeringeren Widerstands der Metallisierung eine höhere Arbeitsgeschwindigkeitbeim Lesen und Schreiben von Daten erreicht werden, und zumindestin einigen Fällenkann ein derart geringer Widerstand erzielt werden, ohne daß die Metallisierungausgeheizt werden muß,wodurch die Notwendigkeit entfällt,daß zur Herstellungder integrierten Schaltung ein Teil des thermischen Budgets verwendetwerden muss.
    [0030] Wenngleich die Erfindung hier unterBezugnahme auf bestimmte Ausführungsformenbeschrieben worden ist, versteht es sich, daß diese Ausführungsformendie Prinzipien und Anwendungen der vorliegenden Erfindung lediglichveranschaulichen. Es versteht sich deshalb auch, daß an denveranschaulichenden Ausführungsformenzahlreiche Modifikationen vorgenommen werden können und daß man sich andere Anordnungenausdenken kann, ohne vom Gedanken und Umfang der vorliegenden Erfindung,wie sie durch die beigefügtenAnsprüche definiertsind, abzuweichen.
    权利要求:
    Claims (15)
    [1] Verfahren, umfassend: Ausbilden einer Wolframnitridschicht,so daß das Verhältnis Stickstoffzu Wolfram unter etwa 0,7 at liegt; und Ausbilden einer Wolframschichtauf der Wolframnitridschicht.
    [2] Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin umfassend Ausbildeneiner Isolationsschicht auf der Wolframschicht.
    [3] Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Isolationsschichtaus Wolframnitrid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxid ausgebildetist.
    [4] Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, weiterhin umfassendAusbilden der Wolframnitridschicht auf einer Polysiliziumschicht,um einen Gatestapel eines Feldeffekt-Transistors auszubilden.
    [5] Verfahren nach Anspruch 4, weiterhin umfassend Sputternder Wolframnitridschicht auf die Polysiliziumschicht, um den Gatestapelauszubilden.
    [6] Verfahren nach Anspruch 4 oder 5, weiterhin umfassend: Ausbildeneiner Mischung aus Argongas und Stickstoffgas und Beschießen einerProbe aus Wolfram mit der Mischung aus Argongas und Stickstoffgasin Gegenwart des Polysiliziums, um die Wolframnitridschicht aufdem Polysilizium auszubilden, wobei das Verhältnis Stickstoffzu Wolfram erhalten wird, indem ein Verhältnis des Argongases und des Stickstoffgasesgesteuert wird.
    [7] Verfahren, umfassend: Ausbilden einer Wolframnitridschichtauf einer Polysiliziumschicht, wobei das Verhältnis Stickstoff zu Wolframunter etwa 0,7 at liegt; Ausbilden einer Wolframschicht aufder Wolframnitridschicht und Ausbilden einer Nitridschichtauf der Wolframschicht, um einen Gatestapel eines Feldeffekt-Transistors auszubilden.
    [8] Verfahren nach Anspruch 7, weiterhin umfassend Sputternder Wolframnitridschicht auf die Polysiliziumschicht.
    [9] Verfahren nach Anspruch 7 oder 8, weiterhin umfassend: Ausbildeneiner Mischung aus Argongas und Stickstoffgas und Beschießen einerProbe aus Wolfram mit der Mischung aus Argongas und Stickstoffgasin Gegenwart des Polysiliziums, um die Wolframnitridschicht aufdem Polysilizium auszubilden, wobei das Verhältnis Stickstoffzu Wolfram erhalten wird, indem ein Verhältnis des Argongases und des Stickstoffgasesgesteuert wird.
    [10] Verfahren, umfassend: Ausbilden eines Grabenkondensatorsin einem Substrat und Ausbilden eines an den Grabenkondensatorgekoppelten Zugangstransistors, wobei ein Gatestapel des Zugangstransistorshergestellt wird durch: Ausbilden einer Wolframnitridschicht aufeiner Polysiliziumschicht, wobei das Verhältnis Stickstoff zu Wolfram unteretwa 0,7 at liegt; Ausbilden einer Wolframschicht auf der Wolframnitridschichtund Ausbilden einer Nitridschicht auf der Wolframschicht, um den Gatestapelauszubilden.
    [11] Anordnungen, umfassend: eine Wolframnitridschichtmit einem VerhältnisStickstoff zu Wolfram unter etwa 0,7 at und eine Wolframschichtauf der Wolframnitridschicht.
    [12] Anordnung nach Anspruch 11, weiterhin umfassendeine Isolationsschicht auf der Wolframschicht.
    [13] Anordnung nach Anspruch 12, wobei die Isolationsschichtaus Wolframnitrid, Siliziumnitrid oder Siliziumoxid ausgebildetist.
    [14] Anordnung nach einem der Ansprüche 11 bis 13, weiterhin umfassendeine Polysiliziumschicht, auf der die Wolframnitridschicht ausgebildetwird, um einen Gatestapel eines Feldeffekt-Transistors auszubilden.
    [15] Anordnung, umfassend: einen Grabenkondensatorin einem Substrat und einen an den Grabenkondensator gekoppeltenZugangstransistor, wobei der Zugangstransistor einen Gatestapelaufweist, der enthält: einePolysiliziumschicht; eine Wolframnitridschicht auf der Polysiliziumschicht, wobeidas VerhältnisStickstoff zu Wolfram unter etwa 0,7 at liegt; eine Wolframschichtauf der Wolframnitridschicht und eine Nitridschicht auf derWolframschicht.
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    2008-11-20| 8139| Disposal/non-payment of the annual fee|
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